Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE006NE2LM5CGATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE006NE2LM5CG
IQE006NE2LM5CGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IQE006NE2LM5CGATMA1, 25V Drain-Source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 41A (Ta) / 298A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulmaktadır. 650mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlayan transistör, güç uygulamalarında anahtarlama ve yükseltici devrelerde kullanılır. Maksimum 89W (Tc) güç yayınlayabilen bu FET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Through-hole montajı nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kolayca integre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Ta), 298A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5453 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok