Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE006NE2LM5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE006NE2LM5ATMA1
IQE006NE2LM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IQE006NE2LM5ATMA1, 25V drain-source gerilimi ile çalışabilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 41A sürekli drenaj akımı (Ta 25°C) ve 298A akımı (Tc) ile yüksek akım işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 650mOhm (10V, 20A) standart on direnci sayesinde enerji kaybı minimize edilir. 8-TSON pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve düşük gerilim dağıtım sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Wettable flank montaj tipi ile yüzey montaj işlemlerine uygun olup, SMD üretim proseslerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Ta), 298A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5453 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok