Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZA65R029CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZA65R029CFD7XKSA1
IPZA65R029CFD7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPZA65R029CFD7XKSA1, 650V Drain-Source gerilim değerine sahip N-Channel MOSFET transistördür. COOLMOS teknolojisine dayanan bu bileşen, 69A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 29mΩ maksimum Rds(On) değerine sahiptir. TO-247-4 paketinde sunulan komponentin maksimum güç tüketimi 305W olup, -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu FET, düşük anahtarlama kaybı ve hızlı komütasyon özellikleriyle karakterizedir. 145nC gate charge ve 7149pF input capacitance değerleriyle hassas kontrol gerektirebilen uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7149 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 305W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 35.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.79mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok