Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZA65R018CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZA65R018CFD7XKSA1
IPZA65R018CFD7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPZA65R018CFD7XKSA1, 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu yüksek güç bileşeni, 106A sürekli dren akımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 18mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürücüleri, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 446W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile ağır yük koşullarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 106A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11660 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 446W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 58.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.91mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok