Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZA60R099P7XKSA1
IPZA60R099P7XKSA1 Hakkında
IPZA60R099P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 99mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel denetim devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 117W maksimum güç tüketimi ve düşük kapı yükü (45nC) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1952 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 117W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok