Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZA60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZA60R080P7
IPZA60R080P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IPZA60R080P7XKSA1, 600V 37A kapasitesine sahip N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 80mΩ maksimum RDS(on) direncine ve 51nC gate charge değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 129W güç dağıtımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüleri, inverterler ve motor sürücülerinde kullanım için uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ve 10V drive voltage spesifikasyonuna sahip bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 129W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok