Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4

Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
IPZA60R037P7XKSA1

IPZA60R037P7XKSA1 Hakkında

IPZA60R037P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, 76A sürekli drain akımı ve 37mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 255W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip bu transistör, 600V yüksek voltaj işlemleri gerektiren sistemlerde güvenilir bir anahtar elemanıdır. Through-hole montaj tipi ile PCB uygulamalarında kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5243 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 29.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.48mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok