Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZA60R024P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3

Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
IPZA60R024P7

IPZA60R024P7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPZA60R024P7XKSA1, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, 101A sürekli drain akımı kapasitesine ve 24mOhm (10V, 42A'de) On-Resistance değerine sahiptir. Gate charge 164nC olup, ±20V gate gerilimi aralığında çalışır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında 291W güç yayabilir. DC/DC konverterler, UPS sistemleri, endüstriyel anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltajlı güç elektronikleri için kullanılır. Through Hole montajı ile PCB'ye direkt entegre edilir. Part Status aktiftir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 101A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7144 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-4-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.03mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok