Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZ65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZ65R095C7
IPZ65R095C7XKSA1 Hakkında
IPZ65R095C7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source voltaj (Vdss) ve 24A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-4 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç düzenleme devreleri, motor kontrol, anahtarlama kaynakları ve fotovoltaik inverterleri gibi uygulamalarda çalışır. 95mOhm maksimum RDS(On) değeri ve 45nC kapı yükü (Qg) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2140 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 11.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok