Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZ65R019C7XKSA1
IPZ65R019C7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPZ65R019C7XKSA1, 650V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 75A sürekli drain akımı kapasitesi ve 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile endüstriyel güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverterler ve anahtarlamali güç sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme yeteneği geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilen transistör, 215nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9900 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 446W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 58.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.92mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok