Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZ60R125P6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4

Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
IPZ60R125P6

IPZ60R125P6FKSA1 Hakkında

IPZ60R125P6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Vdss derecelendirmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 37.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama, invertör devreleri, güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 99mOhm on-state resistance değeri sayesinde enerji verimliliği gerektiren sistemlerde yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 10V gate sürüş voltajında optimum performans gösterir. Through-hole montaj tipidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3330 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.21mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok