Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZ60R099P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZ60R099P6
IPZ60R099P6FKSA1 Hakkında
IPZ60R099P6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 37.9A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-4 paketinde sunulan bu transistör, 99mΩ maksimum on-state direnci ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüşüm uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 278W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta-yüksek güç devrelerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3330 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok