Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZ60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZ60R099C7XKSA1
IPZ60R099C7XKSA1 Hakkında
IPZ60R099C7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-247-4 paketinde sunulan bu transistör, güç elektorniği devreleri, endüstriyel sürücüler, çevrimiçi UPS sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 99mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp tasarımları destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 110W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1819 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok