Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZ60R041P6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4

Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
IPZ60R041P6

IPZ60R041P6FKSA1 Hakkında

IPZ60R041P6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 77.5A sürekli akım kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 41mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde uygulanır. Gate charge 170nC ve input capacitance 8180pF özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. Cihazın Vgs(th) 4.5V seviyesinde tetiklenmesi, kontrol devresi tasarımını basitleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8180 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 35.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.96mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok