Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZ60R040C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4

Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
IPZ60R040C7

IPZ60R040C7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPZ60R040C7XKSA1, N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 50A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç elektoniği uygulamalarında kullanılır. TO-247-4 pakette sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel invertörler gibi yüksek gerilim uygulamalarında yer alır. 40mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 227W güç yayılımına kapasitedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 24.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.24mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok