Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZ60R037P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4

Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
IPZ60R037P7XKSA1

IPZ60R037P7XKSA1 Hakkında

IPZ60R037P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 76A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama görevlerini yerine getirir. TO-247-4 paketinde sunulan transistör, endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve solar inverter uygulamalarında kullanılır. 37mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına ve 255W maksimum güç dağılımına sahiptir. ±20V gate voltajı ile uyumlu olan cihaz, 10V sürücü voltajında optimal performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5243 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 29.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.48mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok