Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IPZ40N04S5L4R8

IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPZ40N04S5L4R8ATMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 40A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu komponent, 4.8mOhm (10V, 20A koşullarında) düşük on-state direnci sunmaktadır. 8-pin PowerVDFN paketinde tasarlanmış olup, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor sürücü uygulamalarında kullanılabilir. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C arasında) ile endüstriyel ortamlara uygun tasarımlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 17µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok