Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZ40N04S5L3R6ATMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZ40N04S5L3R6
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 Hakkında
IPZ40N04S5L3R6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistörüdür. Düşük drain-source on-resistance (Rds On) değeri olan 3.6mΩ @ 20A, 10V ile yüksek akım anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 87A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol, solar inverter ve enerji dönüşüm sistemlerinde tercih edilir. PG-TSDSON-8 yüzey montajı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 58W maksimum güç disipasyonu ve optimize edilmiş gate charge (32.8 nC) değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 87A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1966 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok