Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZ40N04S5L2R8
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Hakkında
IPZ40N04S5L2R8ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerVDFN yüzey montajı pakette sunulan bu komponentin işletme sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. ±16V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok