Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZ40N04S58R4ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IPZ40N04S5

IPZ40N04S58R4ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPZ40N04S58R4ATMA1, 40V ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 8.4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Surface Mount PG-TSDSON-8-32 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 34W maksimum güç dağılımına sahiptir. ±20V gate voltaj aralığı ile geniş uygulama esnekliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 771 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-32
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok