Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZ40N04S55R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZ40N04S55R4ATMA1
IPZ40N04S55R4ATMA1 Hakkında
IPZ40N04S55R4ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim derecelendirmesi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, şarj cihazları ve inverter gibi güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 17µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok