Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPZ40N04S53R9ATMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPZ40N04S53R9
IPZ40N04S53R9ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPZ40N04S53R9ATMA1, 40V drain-source voltaj ve 89A sürekli drain akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. PG-TSDSON-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 25nC gate charge ve 1737pF input kapasitansı özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir. Maksimum 58W güç tüketimi kapasitesiyle motor denetimi, DC-DC dönüştürücüler, enerji yönetimi ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 89A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1737 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 21µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok