Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IPZ40N04S53R1

IPZ40N04S53R1ATMA1 Hakkında

IPZ40N04S53R1ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On: 3.1mΩ @ 20A, 10V) sayesinde minimal güç kaybı sağlar. 8-PowerVDFN yüzey montaj paketinde sunulan komponent, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 71W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 41nC gate yükü ve 2310pF giriş kapasitansı ile kontrol devreleri için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2310 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok