Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPWS65R075CFD7AXKSA1

MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPWS65R075CFD7AXKSA1

IPWS65R075CFD7AXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies IPWS65R075CFD7AXKSA1, 650V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 32A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 75mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketlemesiyle PCB'ye dik montaj yapılır ve 171W güç dağıtabilir. -40°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel uygulamalar, AC/DC güç kaynakları, invertörler ve motor sürücü devreleri başta olmak üzere güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3288 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 16.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 820µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok