Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPWS65R050CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPWS65R050CFD7AXKSA1
IPWS65R050CFD7AXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPWS65R050CFD7AXKSA1, 650V drain-source gerilimi ve 45A sürekli akım kapasitesi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, ±20V gate gerilim aralığında güvenli şekilde kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, endüstriyel inverterler ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 4975pF maksimum input kapasitansi ve 102nC gate yükü hızlı anahtarlama performansı sağlar. 227W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile ağır endüstriyel uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4975 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 24.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.24mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok