Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPWS65R035CFD7AXKSA1

MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPWS65R035CFD7AXKSA1

IPWS65R035CFD7AXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPWS65R035CFD7AXKSA1, 650V drain-source voltajına kadar dayanabilen N-Channel MOSFET transistördür. 63A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük 35mOhm RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve elektrik güç yönetiminde kullanılır. -40°C ile +150°C arasında stabil çalışan cihaz, 145nC kapı yükü ve 7149pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 10V kontrol voltajında optimal şekilde çalışır ve 305W maksimum güç dağıtımını tolere edebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7149 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 35.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.79mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok