Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW90R800C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW90R800C3
IPW90R800C3FKSA1 Hakkında
IPW90R800C3FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6.9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri, inverter devreleri, SMPS uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V sürücü gerilimine karşı 800mΩ maksimum kanal direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına ve 104W maksimum güç dağılımına sahiptir. Gate charge karakteristiği 42nC ve threshold gerilimi 3.5V'dir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 460µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok