Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW90R1K0C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW90R1K0C3FKSA1
IPW90R1K0C3FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPW90R1K0C3FKSA1, N-channel MOSFET transistördür. 900V drain-source voltaj kapasitesi ve 5.7A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde temin edilen bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, switch-mode güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji yönetimi sistemlerinde yer alır. Maksimum 1 Ohm RDS(on) değeri ve 34 nC gate charge özelliği ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok