Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW90R1K0C3FKSA1

IPW90R1 - 900V COOLMOS N-CHANNEL

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW90R1

IPW90R1K0C3FKSA1 Hakkında

IPW90R1K0C3FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V COOLMOS N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirmektedir. 5.7A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1Ohm (10V, 3.3A) on-resistance değeri ile güç dönüştürme, motor kontrol ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 89W maksimum güç tüketimi özelliği ile şiddetli endüstriyel ortamlara uyundur. 34nC gate charge ve düşük input kapasitans (850pF) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 370µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok