Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW90R120C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW90R120C3

IPW90R120C3XKSA1 Hakkında

IPW90R120C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V Drain-Source gerilim ve 36A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 120mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç kayıplarını minimize eder. TO-247-3 kasa tipi ile güç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 417W güç tüketebilir. İnverter devreler, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.9mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok