Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW90R120C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 COO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW90R120C3
IPW90R120C3FKSA1 Hakkında
IPW90R120C3FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilim kapasitesi ve 36A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 120mΩ maksimum on-resistance değeri ve 10V gate drive voltajında çalışır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, invertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 417W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate threshold voltajı 3.5V olup, giriş kapasitansi 6800pF'dir. Through-hole montaj tipi ile doğrudan PCB'ye lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok