Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW80R360P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW80R360P7
IPW80R360P7XKSA1 Hakkında
IPW80R360P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 360mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, solar inverter uygulamaları ve industrial SMPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 84W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok