Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R660CFDFKSA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R660CFDFKSA1
IPW65R660CFDFKSA1 Hakkında
IPW65R660CFDFKSA1, 700V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip ve TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 660mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışan bu transistör, güç dönüştürme uygulamalarında, switch-mode güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 62.5W maksimum güç dağıtımını tolere eder. Gate charge değeri 22nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok