Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R420CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R420CFDFKSA1

IPW65R420CFDFKSA1 Hakkında

IPW65R420CFDFKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 8.7A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, 420mΩ (10V, 3.4A) maksimum on-dirençi ve 32nC kapı yükü ile güç dönüştürme devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), DC-DC konverterler, inverterler ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 83.3W güç kaybına sahiptir. Thru-hole montajı ile PCB'ye dik olarak monte edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 340µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok