Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R280C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R280C6
IPW65R280C6FKSA1 Hakkında
IPW65R280C6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 13.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve motor kontrol devrelerinde yer alır. TO-247-3 paket tipi ile endüstriyel, enerji dönüşümü ve fotovoltaik sistemlerde sık tercih edilir. 280mOhm on-dirençi ile elektrik kayıpları minimize edilir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında, 104W güç yayma kapasitesi ile termal yönetimi sağlar. Gate charge 45nC ve input capacitance 950pF özellikleri hızlı anahtarlama süresi sunarak verimli devre tasarımı mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok