Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R190E6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R190E6
IPW65R190E6FKSA1 Hakkında
IPW65R190E6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 650V drain-source gerilimi ve 20.2A sürekli drain akımı ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 kasa tipi ile güç dağıtımı için optimize edilmiştir. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Şu anda üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok