Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R190CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R190CFDFKSA1
IPW65R190CFDFKSA2 Hakkında
IPW65R190CFDFKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 17.5A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 190mΩ maksimum on-state direnci ile enerji dönüşümü, güç yönetimi, endüstriyel sürücüler ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 151W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır. Gate charge değeri 68nC olup, 4.5V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Through-hole montaj tipi ile PCB tasarımında kolaylık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok