Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R190CFDA
IPW65R190CFDAFKSA1 Hakkında
IPW65R190CFDAFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 17.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 190mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 151W maksimum güç yayılımı kapabilir. Anahtarlama uygulamaları, kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi indüktif yükleme gerektiren uygulamalarda kullanıma uygundur. Vdss 650V, Vgs(th) 4.5V ve 68nC gate charge ile karakterize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok