Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R190CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R190CFD7AXKSA1
IPW65R190CFD7AXKSA1 Hakkında
IPW65R190CFD7AXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 14A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketlemesi ile through-hole montajına uygun olan bu bileşen, 190mOhm (10V, 6.4A koşullarında) düşük RDS(on) direncine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 77W güç dağıtabilir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, UPS sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1291 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok