Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R190C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R190C7
IPW65R190C7XKSA1 Hakkında
IPW65R190C7XKSA1, 650V drenaj-kaynak gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistörüdür. 13A sürekli drenaj akımı ve 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol devreleri, enerji dönüştürme sistemleri, UPS cihazları ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 72W maksimum güç disipasyonu, zorlu ortamlardaki güvenilir işletimi destekler. Gate charge değeri 23nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 290µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok