Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R155CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R155CFD7XKSA1

IPW65R155CFD7XKSA1 Hakkında

IPW65R155CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajında çalışabilen bu bileşen, 25°C'de 15A sürekli dren akımı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde kullanılır. 155mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, invertör, switcher, motor kontrol ve enerji dönüştürme sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1283 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 6.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 320µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok