Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R150CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R150CFDFK

IPW65R150CFDFKSA1 Hakkında

IPW65R150CFDFKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 22.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç kontrolü ve anahtarlama işlevlerinde kullanılır. TO-247-3 paketlemesiyle sunulan transistör, üretim hatlarında, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kayıplarını sınırlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Part status 'Not For New Designs' olarak işaretlenmiş olup, yeni tasarımlar için alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2340 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok