Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R150CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R150CFDA
IPW65R150CFDAFKSA1 Hakkında
IPW65R150CFDAFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 22.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüleme voltajında 150mΩ maksimum RDS(on) değerine ulaşır. 86nC gate yükü ve 2340pF input kapasitansı sayesinde hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri, şarj devrelerine ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 195.3W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek enerji uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok