Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R125CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R125CFD7XKSA1
IPW65R125CFD7XKSA1 Hakkında
IPW65R125CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu yüksek güç FET bileşeni, 19A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. Gate yükü (Qg) 36nC ve giriş kapasitesi (Ciss) 1694pF olarak belirtilmiştir. ±20V maksimum gate voltajı ve 4.5V threshold voltajı ile kolayca sürülmektedir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında ve 98W maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1694 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 420µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok