Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R125C7
IPW65R125C7XKSA1 Hakkında
IPW65R125C7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 18A sürekli dren akımı kapasitesine ve 125mΩ RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) stabil performans sunar. 35nC gate charge ve 1670pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. İyonik ve endüstriyel güç dönüştürme devreleri, inverterler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj özelliği ile PCB tasarımında esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok