Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R115CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R115CFD7AXKSA1
IPW65R115CFD7AXKSA1 Hakkında
IPW65R115CFD7AXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, elektrik motor kontrolü, enerji dönüşüm sistemleri ve indüktif yük kontrolünde yaygın olarak yer alır. 115mΩ maksimum on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve ticari elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok