Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R110CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R110CFDFKSA2
IPW65R110CFDFKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPW65R110CFDFKSA2, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 31.2A sürekli drain akımı kapasitesi ve 110mΩ maksimum on-dirençi (Rds On) ile verimli güç kontrolü sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertörler, motor sürücüler, güç kaynakları ve iletişim sistemleri gibi yüksek güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 277.8W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güvenilir uzun ömürlü operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok