Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R095C7
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R095C7
IPW65R095C7 Hakkında
IPW65R095C7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 24A sürekli akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve elektriksel anahtarlama devrelerinde yer alır. 95mOhm (10V, 11.8A'de) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 128W maksimum güç dağılımına sahiptir. Gate charge 45nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2140 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 11.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok