Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R090CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R090CFD7
IPW65R090CFD7XKSA1 Hakkında
IPW65R090CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güç N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 25A sürekli drain akımı ile güç yönetimi, motor kontrolü ve enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya dayanıklı olup, TO-247-3 kılıfında sunulmuştur. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek voltaj sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2513 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok