Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R080CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R080CFDFKSA2
IPW65R080CFDFKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPW65R080CFDFKSA2, 650V drain-source voltaj ile tasarlanmış N-kanal MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25°C sıcaklıkta 43.3A sürekli drain akımı sağlar ve maksimum 80mOhm on-state direnç (Rds On) değerine sahiptir. 10V gate drive voltajı ile kontrol edilen bu transistör, 167nC gate charge karakteristiğine ve 5030pF input kapasitansına sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilen bu MOSFET, maksimum 391W güç dissipasyonu kapasitesiyle endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, invertörler, UPS sistemleri ve kaynak uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5030 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 391W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok